日本周五表示，將向由豐田汽車(TM.US)、索尼(SONY.US)、日本電信電話、日本電裝、軟銀等8家日企合資成立的半導體公司Rapidus投資最高達700億日元(約合5億美元)，旨在2030年前建立下一代半導體設(shè)計和制造基地。

日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔在新聞發(fā)布會上表示：“半導體將成為人工智能(AI)、數(shù)字產(chǎn)業(yè)和醫(yī)療保健等新興前沿技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵組成部分。”

據(jù)悉，Rapidus主要以量產(chǎn)全球目前尚未實際運用的2納米以下先進半導體作為目標，將與美國IBM等公司合作，開發(fā)2納米半導體技術(shù)，建立短周轉(zhuǎn)時間(TAT)試驗線，引進EUV光刻設(shè)備等。該公司將進行人工智能、智能城市建設(shè)等相關(guān)高端芯片開發(fā)，計劃在2027年形成量產(chǎn)。

日本正急于重振其半導體制造，以確保本國汽車制造商和信息技術(shù)公司不會面臨半導體短缺。作為這一計劃的一部分，日本政府正在提供財政援助，鼓勵外國芯片制造商在日本建廠。其中包括向臺積電(TSM.US)提供4000億日元補貼在熊本縣建廠;日本在7月還提供了930億日元幫助存儲芯片制造商鎧俠和西部數(shù)據(jù)(WDC.US)擴大在日本的產(chǎn)量;今年9月，日本已承諾向美國芯片制造商美光科技(MU.US)提供465億日元以增加其廣島工廠的產(chǎn)量。

Rapidus代表著日本半導體戰(zhàn)略的下一階段，也進一步表明日本與美國在技術(shù)開發(fā)方面的合作正在深化。此前，雙方于7月同意建立一個新的聯(lián)合研究中心，以開發(fā)速度更快、能效更高的下一代2納米半導體。